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IRF7207
 
 
1600
1200
V GS = 0V,   f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
10
8
I D = -5.4A
 
V DS = -10V
800
C iss
 
oss
C  
6
4
400
rss
C  
2
 
0
1
10
100
0
0
5
10
15     20     25     30
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
 
BY R
100
10
1
T J = 150 ° C
 
T J = 25 ° C
 
100
10
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
DS(on)
100us
 
1ms
 
 
0.1
0.4
0.6
0.7
0.9
1.1
V GS = 0 V
 
1.2     1.4
1
1                      10
T J = 150 ° C
Single Pulse
10ms
T A = 25 ° C  
100
4
-V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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